64-bitars (16 x 4) SRAM-minne DIL-16 (74S189N)
74S189N är ett snabbt, bipolärt 64-bitars statiskt RAM-minne (SRAM) organiserat i 16 ord, vardera 4 bitar brett (16 x 4 bitar). Denna krets tillhör 74S-serien ("Schottky TTL"), vilket innebär att den är optimerad för mycket snabba läs- och skrivoperationer i digitala system.
Kretsen är speciellt konstruerad för applikationer som kräver ett litet men blixtsnabbt cache- eller bufferminne. Eftersom det är ett bipolärt minne är åtkomsttiderna mycket kortare jämfört med traditionella MOS-baserade minnen.
Viktigaste egenskaperna:
Organisation: 16 ord x 4 bitar (totalt 64 bitar).
Hastighet: Schottky-TTL-teknologi garanterar mycket korta åtkomsttider.
Inverterade utgångar: Kretsens utgångar är logiskt inverterade (Open-collector/tri-state-funktioner att ta hänsyn till).
Adressiering: Enkel adressering med en 4-bitars adressbuss (A0–A3).
TTL-kompatibilitet: Fungerar med standard 5 V TTL-spänningar.
Tekniska data:
Beställningskod: 74S189N
Produkttyp: 64-bitars (16 x 4) SRAM
Kapslingstyp: DIL-16 (16-pin, genomgående montering)
Logikfamilj: 74S (Schottky TTL)
Tillverkare: Flera tillverkare (t.ex. Texas Instruments, Fairchild)
Typiska användningsområden:
Snabba bufferminnen (snabbt bufferminne / scratchpad memory)
Cacheminnen för digitala processorer
Specialiserade signalbehandlingssystem
Undervisning och forskning för att förstå digitalt minnes funktion
Tips för montering och design: 74S189N är en äldre, specialiserad minneskrets. Observera att utgångarna är inverterade, vilket innebär att det lästa datat är bitvis omvänt jämfört med vad som skrevs in i minnet. Använd en stabil matningsspänning för kretsen (5 V) och se till att filtrera (100 nF keramisk kondensator mellan VCC och GND) för att undvika att transienta störningar påverkar minnesinnehållet. Eftersom kretsen är TTL-baserad, säkerställ att belastningen på styrledningarna hålls inom tillåtna gränser.
