NPN-Darlington-transistor 120 V 30 A 200 W 4 MHz TO-3 (MJ11016)

MJ11016 är en högpresterande NPN-Darlington-transistor som är speciellt utformad för applikationer som kräver mycket hög strömförstärkning och förmåga att styra stora laster. Den fungerar som NPN-komplement till modellen MJ11015.

Viktiga tekniska värden

• Collector-Emitter-spänning (VCEO): 120 V

• Collectorström (IC): 30 A

• Effektförlust: 200 W

• Bandbredd (fT): 4 MHz

• Kapsling: TO-3

Viktiga designaspekter

• Darlington-konstruktion: Inbyggd kaskadkoppling ger mycket hög strömförstärkning, vilket möjliggör styrning av lasten direkt från logiknivåsignaler eller med små styrströmmar.

• Spänningsfall: På grund av Darlington-konstruktionen är komponentens saturationsspänning (VCE(sat)) högre än hos en vanlig NPN-effekttransistor. Detta måste beaktas i värmehanteringen eftersom det ökar förlusteffekten vid höga strömmar.

• Värmehantering: 200 W är en mycket hög effektförlust som kräver en massiv kylfläns och högkvalitativt värmeledande fett. Eftersom TO-3-kapslingens chassi är kopplat till Collector-anslutningen är isolatorer nödvändiga om kylflänsen inte kan vara spänningssatt.

Typiska användningsområden

• Linjära nätdelar: Används som serieregulator i kraftaggregat där stabil spänning och hög strömkapacitet krävs.

• Ljudförstärkare: Högeffektiva slutsteg där pålitlig effekthantering krävs.

• Motorstyrningar: Styrning av stora DC-motorer och industriella laster där robust växlingsegenskap behövs.