PNP-Darlington-transistor 100 V 4 A 40 W TO-126 (BD682)

BD682 är en PNP-typ Darlington-transistor i en förpackning identisk med modellen BD681 (TO-126). Eftersom det är en PNP-komponent är den ett naturligt val för "High-Side"-kopplingar där lasten är ansluten mellan transistorn och jord.

Viktiga tekniska värden

• Collector-emitter-spänning (VCE): 100 V

• Kontinuerlig collectorström (IC): 4 A

• Effektförlust: 40 W

• Kapsling: TO-126

Viktigt att tänka på vid konstruktion

• High-side-koppling: Som en PNP-Darlington går denna komponent i ledande tillstånd när dess bas (Base) dras till låg potential i förhållande till emitter. Det gör den praktisk för att koppla matningsspänningen till lasten utan komplicerade drivkretsar.

• Kapsling och värmetålighet: 40 W är maximal effektförlust under optimala förhållanden. I praktiken kräver TO-126-kapslingen noggrann kylning om du använder transistorn nära dess maxvärden.

• Spänningsfall: Som i alla Darlington-kopplingar är VCE(sat) högre än i en vanlig transistor. Detta leder till att komponenten värms upp under belastning, vilket bör beaktas vid dimensionering av kylfläns.

• Switchhastighet: Darlington-transistorer är långsammare än MOSFET:ar, så de passar bäst för likströmskopplingar eller lågfrequent styrning.

Typiska användningsområden

• High-side-brytare: Koppling av laster (t.ex. LED-lampor, reläer) direkt från positiv matningsspänning.

• Motorkontroll: Enkla drivsteg för likströmsmotorer.

• Ljudanläggningar: Användning i slutsteg för förstärkare (PNP-komplement till NPN-transistorn).

• Nätaggregat: Spänningsreglering och stabiliseringskretsar.