Inhemsk nätbutik
Snabb leverans
Hem
Kund

Transistor N-FET 100V 0,17A 0,36W SOT-23

SKU#: BSS123
Kan inte beställas för tillfället
Transistor N-FET 100V 0,17A 0,36W SOT-23

Mängdrabatt

  • Beställ 100+ till priset 1,00  kr/st
  • Beställ 500+ till priset 0,00  kr/st
1,00  kr

Produktbeskrivning

N-kanalig MOSFET 100 V 0,17 A 0,36 W SOT-23 (BSS123)

BSS123 är en liten, ytmonterad (SMD) N-kanalig effekt-MOSFET. Den är speciellt utformad för applikationer med låg strömförbrukning där snabb schakting och låg styrspänning krävs.

Viktiga tekniska värden

  • Drain-Source-spänning (VDS): 100 V

  • Kontinuerlig Drain-ström (ID): 0,17 A

  • Effektförlust: 0,36 W

  • Kapsling: SOT-23

  • Tröskelspänning (VGS(th)): Låg (typiskt 0,8 V – 2,5 V)

Viktigt att beakta i designen

  • Styrspänning: MOSFET:ens tröskelspänning är låg, vilket möjliggör drivning direkt från typiska mikrokontroller-logiknivåer (t.ex. 3,3 V eller 5 V).

  • Kapsling: SOT-23 är mycket kompakt vilket sparar plats på kretskortet. Värmeavledning hanteras via kopparbanor på kretskortet eftersom komponenten saknar separat kylflänsfäste.

  • Driftområde: Denna komponent lämpar sig inte för att switcha stora laster på grund av strömbegränsningen 0,17 A, men är utmärkt för signalkopplingar och nivåomvandlingar.

Typiska användningsområden

  • Logiknivå-switchning: Datakommunikation mellan mikrokontrollers och nivåomvandlingar.

  • Lågströmslaster: Styrning av små LED:ar, sensorer eller andra komponenter som kräver låg ström.

  • Signalbehandling: Lågströms analoga och digitala switchuppgifter.

Produktinformation