J112: N-kanavainen JFET (Junction Field-Effect Transistor)
J112 on N-kanavainen JFET-transistori, joka on suunniteltu erityisesti pienten signaalien kytkentä- ja vahvistussovelluksiin. Toisin kuin aiemmin käsittelemämme MOSFET-transistorit, JFET on rakenteeltaan ja toimintaperiaatteeltaan erilainen: se on luonnostaan "normally-on" (tyhjennystyyppinen) komponentti.
Keskeiset tekniset arvot
Tyyppi: N-kanavainen JFET.
Drain-Source-jännite): 35 V.
Drain-virta: 5 mA
Tehohäviö: 0,35 W (350 mW).
Kotelointi: TO-92
Tärkeää huomioitavaa suunnittelussa
Toimintaperiaate: JFET on normaalisti johtavassa tilassa, kun hilajännite on 0 V. Jotta saat virran katkaistua, hilaan on syötettävä negatiivinen jännite suhteessa lähteeseen (Source).
Hilan ohjaus: JFETin hila-lähde-liitos on käytännössä PN-diodi. Jos hila muuttuu positiiviseksi suhteessa lähteeseen, hila-lähde-liitos alkaa johtaa virtaa, mikä voi vaurioittaa komponenttia tai aiheuttaa ei-toivottua toimintaa.
Käyttöalue: J112 on suunniteltu erityisesti nopeisiin kytkentöihin, joissa vaaditaan pientä vastusta johtavassa tilassa.
Tyypilliset käyttökohteet
Signaalien kytkentä: Analogisten signaalien valinta tai katkaisu audio- ja mittalaitteissa.
Esivahvistimet: Korkean sisääntuloimpedanssin vuoksi JFETit ovat erinomaisia pienten signaalien, kuten mikrofonien tai kitaramikkien, esivahvistimina.
Oskillaattorit: Taajuutta määrittävät kytkennät.
Vakiovirtalähteet: Yksinkertaiset ja luotettavat vakiovirtapiirit.
Suunnitteluvinkki: Jos käytät J112-transistoria kytkimenä, huomioi että se ei ole yhtä tehokas suurten virtojen katkaisemisessa kuin MOSFETit. Sen vahvuus on erinomainen lineaarisuus pienillä signaalitasoilla ja kyky toimia hyvin korkeilla impedansseilla.
