N-kanalig effekt-MOSFET 500 V 20 A 280 W TO-247 (IRFP460)

IRFP460 är en högpresterande N-kanalig effekt-MOSFET avsedd för högspännings- och högeffektstillämpningar. Dess TO-247-kapsling och imponerande 280 W effekttålighet gör den till en pålitlig komponent i applikationer som kräver hög spänningstålighet och hållbarhet.

Viktiga tekniska värden

• Drain-Source-spänning (VDS): 500 V

• Kontinuerlig drainström (ID): 20 A

• Effektförlust: 280 W

• Drain-Source-motstånd (RDS(on)): 0,27 ohm

• Kapsling: TO-247

Viktigt att beakta i konstruktionen

• Hög spänning: 500 V är en betydande spänning. Vid utformning av kretskort bör tillräckliga isolationsavstånd mellan ledare beaktas för att undvika ljusbågar eller genomslag.

• Värmehantering: 280 W maximal effektförlust kräver en mycket effektiv kyllösning. Använd en högkvalitativ kylfläns och värmeledande pasta. Eftersom TO-247-kapslingens metallbakstycke är kopplat till drain-anslutningen, använd en elektriskt isolerande mellanplatta om kylplattan inte får vara i samma potential.

• Grinddrift: På grund av dess stora storlek och kapacitans kräver denna MOSFET en snabb grinddrivare, särskilt vid höga svängningsfrekvenser. Detta hjälper till att minimera switchförluster som annars skulle höja komponentens temperatur i onödan.

• Transientskydd: Vid induktiva belastningar är det nödvändigt att använda lämpliga skyddskomponenter, såsom TVS-dioder eller frikopplingsdioder, för att förhindra att spikspänningar överstiger 500 V tålighet.

Typiska användningsområden

• Högspännings-smps (switchade nätaggregat): En effektiv switchkomponent i applikationer där likriktad nätspänning kopplas till en transformator.

• Inverterare: Används för att omvandla likström till växelström.

• Industriella motorstyrningar: PWM-styrare som arbetar i högspänningsmiljöer.

• Solcellsystem: MPPT-laddningsregulatorer och andra DC-DC-omvandlare.