N-kanalig effekt-MOSFET 55 V 64 A 130 W TO-220 (IRFZ48N)

IRFZ48N är en kraftig N-kanalig effekt-MOSFET som erbjuder utmärkt strömtålighet och låg resistans. Den är ett populärt val i kraftelektronikapplikationer där tillförlitlig omkoppling vid höga strömmar krävs.

Viktiga tekniska värden

• Drain-Source-spänning (VDS): 55 V

• Kontinuerlig Drain-ström (ID): 64 A

• Effektförlust: 130 W

• Drain-Source-resistans (RDS(on)): 0,016 ohm

• Kapsling: TO-220

Viktigt att beakta i designen

• Värmehantering: 130 W maximal effektförlust är betydande. Använd alltid lämplig kylfläns. Metallbaksidan på TO-220-kapslingen är elektriskt förbundet med Drain-anslutningen, så säkra elektrisk isolering från kylflänsen om denna är kopplad till annan potential.

• Gatedrivning: Även om IRFZ48N är högpresterande kräver den tillräcklig gate-spänning (Gate-Source Voltage) för fullständig brytning. Använd en drivkrets som kan leverera minst 10 V till gate för att uppnå lägsta RDS(on).

• Layoutdesign: När du arbetar med 64 A strömmar måste kopparspåren på kretskortet vara mycket breda och eventuellt förtjockade. Tänk också på kontaktanslutningarnas resistans så att de inte smälter eller orsakar betydande spänningsfall.

• Induktiva laster: Som med alla effekt-MOSFET:ar, använd en fridiode vid induktiva laster (som solenoider eller motorer) för att skydda transistorn mot spänningsspikar vid avstängning.

Typiska användningsområden

• DC-motorkontroll: PWM-baserade hastighetsregulatorer som kräver hög strömtålighet.

• Switched-mode strömförsörjningar: Effektivt omkopplingselement i DC-DC-omvandlare.

• Fordonselektronik: Koppling av högströmslaster i 12 V-system (t.ex. kraftiga lampor, bränslepumpar).

• Solpanelsystem: Kopplingselement i laddningsregulatorer.