N-kanal MOSFET 60 V 0,5 A 0,83 W TO-92 (BS170)

BS170 är en av elektronikentusiasters och prototypskaparnas mest populära N-kanaliga MOSFET:ar. Den är särskilt avsedd för brytning av små strömmar och fungerar utmärkt direkt på mikrokontrollerlogiknivåer.

Viktiga tekniska värden

• Drain‑Source-spänning (VDS): 60 V

• Kontinuerlig drain‑ström (ID): 0,5 A (500 mA)

• Effektförlust: 0,83 W

• Tröskelspänning (VGS(th)): Typiskt 0,8 V – 3,0 V

• Kapsling: TO-92

Viktigt att tänka på i konstruktionen

• Logikstyrning: BS170 slås vanligtvis på redan vid 2,5 V – 5 V på gate, vilket gör den mycket enkel att styra direkt från exempelvis Arduino eller andra 3,3 V / 5 V mikrokontroller‑GPIO‑pinnar utan separata drivkretsar.

• Strömtålighet: Även om 500 mA är komponentens maxvärde bör man i praktiska kopplingar hålla sig tydligt under detta för att undvika överhettning.

• Kapsling: TO-92‑kapseln är liten och har ingen separat metallisk kylfläns. 0,83 W effektförlust är ett teoretiskt maximum under optimala förhållanden, så i praktiska tillämpningar blir komponenten snabbt varm om den belastas nära gränsvärdena.

• Statisk elektricitet (ESD): Liksom många andra MOSFET:ar är BS170:s gate känslig för statisk elektricitet. Hantera komponenten varsamt innan lödning.

Typiska användningsområden

• Digital switching: Mikrokontrollerstyrd omkoppling av små laster.

• LED‑styrning: Justering av ljusstyrkan för enstaka LED:ar eller små LED‑kedjor med PWM‑signal.

• Nivåanpassning: Anpassning av digitala signals nivåer mellan olika spänningar.

• Styrning av reläer: Aktivering av små reläer, med minne om att använda en skyddsdiode parallellt med induktiv last.