N-kanalig MOSFET-transistor 60V 115mA SOT-23 (2N7002)
2N7002 är en industristandard N-kanalig MOSFET särskilt utformad för moderna ytmontagetekniker (SMD) på kretskort. Den är mycket populär i lågströmskopplingsapplikationer där platsen är begränsad och komponenten måste vara pålitlig och energieffektiv.
2N7002 (tillverkare Fairchild / ON Semiconductor / motsvarande) är en ytmontageversion av den populära 2N7000-transistorn. Den erbjuder utmärkt prestanda i ett litet SOT-23-paket, vilket gör den till ett optimalt val för moderna, kompakta inbyggda system. Dess låga kapacitans och snabba switchhastighet möjliggör effektiv drift även vid högre frekvenser.
Denna transistor är spänningsstyrd, vilket betyder att den endast kräver en liten spänning på sin Gate för att slå på, vilket gör den till en perfekt partner för mikrokontrollers som använder 3,3 V eller 5 V logiknivåer. Den är ett utmärkt val för t.ex. buffring av signaler, styrning av små LED:ar eller som nivåomvandlare.
Viktiga egenskaper:
SOT-23-paket: Kompakt SMD-storlek som passar moderna automatiserade kretskort.
Kompatibel med logiknivåer: Växlar med låg gate-spänning.
Snabb switching: Ett utmärkt alternativ för hantering av digitala signaler.
Hög ingångsimpedans: Belastar inte styrkretsen, vilket minimerar strömförbrukningen.
Robust: Trots sin lilla storlek tål den industrins vanligaste spikspänningar väl.
Tekniska data:
Beställningskod / Produktkod: 2N7002
Transistortyp: N-kanalig MOSFET (förstärkningsläge, Enhancement Mode)
Pakettyp: SOT-23 (SMD, 3-pin ytmontage)
Maximal tillåten spänning (VDS): 60 V
Maximal kontinuerlig ström (ID): 115 mA
Tillverkare: Flera (t.ex. ON Semiconductor, Vishay)
Typiska användningsområden:
Hjälp för att styra mikrokontrollerars I/O-stift
Styrning av små laster, såsom indikator-LED:ar
Signalnivåomvandling (level shifting) mellan 3,3 V och 5 V system
Kopplingskretsar för små sensorer
Tillverkning och service av moderna kompakta elektroniska enheter
Tips för montering och design: 2N7002 är mycket liten på grund av sitt SOT-23-paket, så hantera den försiktigt vid lödning – överdriven värme kan skada transistorn. Vi rekommenderar att använda värmeavledning på kretskortet (stor kopparyta runt Source-anslutningen) om transistorn kontinuerligt arbetar nära sin maxström. Kom ihåg att lägga till ett "pull-down"-motstånd (t.ex. 10 kΩ–100 kΩ) mellan Gate- och Source-stiften så att transistorn hålls avstängd i en kontrollerad tillstånd om styrsignalen är i ett osäkert tillstånd (tri-state).
