N-kanal MOSFET-transistor 60V, 85A, 160W (FQP85N06)
FQP85N06 är en mycket högpresterande N-kanal effekt-MOSFET, speciellt utformad för applikationer som kräver hög strömbelastning, snabba switchningshastigheter och låg "on-resistans" (RDS(on)). Detta gör den till en utmärkt komponent för effektstyrning, motorstyrningar och DC-DC-omvandlare.
Transistorn (tillverkare ON Semiconductor / Fairchild) tål upp till 60 volts spänning och kan hantera upp till 85 ampere kontinuerlig ström. Dess låga RDS(on) (typiskt omkring 0.012 Ω) innebär att transistorn avger mycket lite effekt som värme när den är i ledning, vilket förbättrar systemets verkningsgrad och minskar behovet av kylning.
TO-220-kapslingen möjliggör montering på kylfläns, vilket är nödvändigt när transistorn används nära sin maximala effekthantering (160 W).
Viktigaste egenskaper:
Hög strömbelastning: Kontinuerlig ström upp till 85 A (inom kapslingens gränser).
Låg RDS(on): Minskar effektförluster och värmeutveckling.
Snabb switchning: Lämplig för högfrekvent PWM-styrning.
Robust konstruktion: Hög spänningshållfasthet (60 V) och effekthantering (160 W).
TO-220-kapsel: Standardkapsel som är enkel att montera och kyla.
Tekniska uppgifter:
Beställningskod / Produktkod: FQP85N06
Produkttyp: N-kanal MOSFET
Kapslingstyp: TO-220
Spänningshållfasthet (VDS): 60 V
Strömbelastning (ID): 85 A
Effekthantering (PD): 160 W
Tillverkare: ON Semiconductor / Fairchild
Typiska användningsområden:
PWM-hastighetsstyrning för stegmotorer och DC-motorer
Strömförsörjningar och DC-DC-omvandlare
Batterihanteringssystem (BMS) och laddningskretsar
Kretsar för elverktyg
Effektsteg för bil-elektronik
Tips för montering och design: Gate-spänningen (VGS) för MOSFET-transistorn är viktig: säkerställ att din styrkrets (t.ex. mikrokontroller) kan fullt öppna transistorn (med hänsyn till Gate-Threshold Voltage). Ofta behövs en separat gate-drivrutin (gate driver) om switchningsfrekvensen är hög eller om styrspänningen är låg, för att ladda och urladda gate-kapacitansen tillräckligt snabbt. Glöm inte skyddsdiod vid styrning av induktiva laster (som motorer) så att transistorn inte skadas av switchspikar.
