NPN-bipolärtransistor 180 V 0,6 A 0,625 W 100 MHz TO-92 (2N5551)

2N5551 är en högspännings-NPN-bipolärtransistor som är känd för sitt höga spänningsbeständighet och goda frekvensrespons. Den är mycket populär för förstärkning av småsignal och för switchning där driftspänningen är högre än normalt.

Viktiga tekniska värden

• Collector-Emitter-spänning (VCEO): 180 V

• Kontinuerlig collectorström (IC): 0,6 A (600 mA)

• Effektförlust: 0,625 W

• Överföringsfrekvens (fT): 100 MHz

• Kapsling: TO-92

Viktigt att beakta i konstruktionen

• Hög spänning: 180 V är en avsevärd spänning för en komponent i TO-92-utförande. Vid kretskortslayout måste avstånden mellan komponentben och andra kretsar vara tillräckliga för att förhindra överslag.

• Värmeavledning: Eftersom TO-92-höljet saknar separat kylfläns kan maximal effektförlust på 625 mW endast uppnås under goda förhållanden. I praktiska tillämpningar bör effektförlusten hållas lägre för att säkerställa lång livslängd.

• Kopplingshastighet: 100 MHz överföringsfrekvens gör denna transistor lämplig även för radiofrekvenstillämpningar (RF) och snabba switchningar där god responstid krävs.

• Styrning: Som bipolär transistor krävs basström för att den ska leda. Som NPN-typ slår den till när basen förses med en mer positiv potential än emittern.

Typiska användningsområden

• Ljudförstärkare: Användning i förstärkarnas spänningsförstärkningssteg (VAS) där stora spänningssvängningar krävs.

• Industriella styrkretsar: Switchning av högspänningssignaler och styrning av små reläer.

• RF-tillämpningar: Användning i högfrekventa småsignal-förstärkare.

• DC–DC-omvandlare: Användning i styrkretsar där högre spänningsbeständighet krävs än med grundläggande komponenter.