Inhemsk nätbutik
Snabb leverans
Hem
Kund

Transistor NPN 300V 0,1A 0,8W 90MHz TO-18

SKU#: BF259
Kan levereras 1000 st Omedelbart tillgänglig
Finns för avhämtning vid beställning
Transistor NPN 300V 0,1A 0,8W 90MHz TO-18

Mängdrabatt

  • Beställ 10+ till priset 16,00  kr/st
  • Beställ 50+ till priset 14,00  kr/st
19,00  kr

Produktbeskrivning

Transistor NPN 300 V 0,1 A 0,8 W 90 MHz TO-18 (BF259)

BF259 är en högspännings NPN-bipolärtransistor som är särskilt utformad för videoförstärkare och andra kretsar där hög spänningshållfasthet och goda högfrekvensegenskaper krävs.

Komponenten är förpackad i ett metalliskt TO-18-hölje, vilket garanterar god hållbarhet och tillförlitlighet. Det är en klassisk komponent som har använts mycket i katodstrålerörs-tv-apparaters (CRT) videoavsnitt, där snabb signalbehandling vid hög spänning krävs.

Viktigaste egenskaperna:

  • Typ: NPN-bipolärtransistor.

  • Hög spänningshållfasthet: Kollektor-emitterspänning (Vceo) är 300 V, vilket tillåter användning i högspänningskretsar.

  • Strömkapacitet: Maximal kollektorström (Ic) är 100 mA (0,1 A).

  • Effekthantering: Maximal effektdissipation (Pd) är 800 mW (0,8 W).

  • Frekvenssvar: Transitfrekvens (fT) är 90 MHz, vilket möjliggör effektiv funktion även vid höga frekvenser (såsom video‑frekvenser).

  • Kapsling: TO-18 (metallisk, 3‑pins genomgående montering).

Tekniska data:

  • Beställkod: BF259

  • Produkttyp: Högspännings‑NPN‑transistor

  • Kapseltyp: TO-18

  • Tillverkare: Flera (t.ex. Philips/NXP)

Typiska användningsområden:

  • Videoförstärkare: Utgångssteg för CRT-skärmar och tv‑apparater.

  • Högspänningssignaler: Förstärkning av låg‑effektiga högspänningssignaler.

  • Oscillatorer: RF‑oscillatorer för högspänningsområden.

  • Kopplingskretsar: Snabba, högspänningsbrytare.

Tips för montering och design: Eftersom BF259 tål upp till 300 V är säkerhet av yttersta vikt. Se till att banavstånden på kretskortet är tillräckliga för att undvika ljusbågar eller kortslutningar. TO-18‑metallhöljet är ofta internt kopplat till emittern eller isolerat (kontrollera alltid databladets pin‑konfiguration). Om du använder transistorn nära dess maximala effekter (0,8 W), överväg en liten kylfläns som passar TO-18‑höljet, eftersom komponentens livslängd förbättras avsevärt om driftstemperaturen hålls under kontroll.

Produktinformation