PNP-bipolärtransistor 350 V 1 A 10 W 50 MHz TO-5 (2N5416)

2N5416 är en högspännings-PNP-bipolärtransistor i ett metallhölje TO-5. Den är speciellt utformad för tillämpningar som kräver mycket hög spänningstålighet, bra växlingshastighet och tillförlitlighet.

Viktiga tekniska värden

• Collector-Emitter-spänning (VCEO): 350 V

• Kontinuerlig Collector-ström (IC): 1 A

• Effektförlust: 10 W

• Överföringsfrekvens (fT): 50 MHz

• Kapsling: TO-5 (metallhölje)

Viktigt att beakta vid konstruktion

• Mycket hög spänning: 350 V är en betydande spänning. Vid kretskortskonstruktion är det nödvändigt att följa tillräckliga kryp- och luftavstånd mellan ledare för att förhindra gnistbildning.

• Metallkapsling (TO-5): Metallhöljet ger utmärkt värmeledning och hållbarhet. Observera att kapslingen ofta är elektriskt ansluten till transistorns kollektor, så isolering från kylfläns är ofta nödvändig.

• Effekthantering: 10 W maximal effektförlust kräver en lämplig kylfläns. Utan tillräcklig värmehantering förkortas transistorens livslängd avsevärt.

• Styrning: Som bipolär transistor kräver 2N5416 basström för att fungera. På grund av PNP-strukturen slår den på när basen förs till en lägre potential än emittern. 50 MHz överföringsfrekvens möjliggör även användning i snabbare växlings- och förstärkarapplikationer.

Typiska användningsområden

• Högspänningsförstärkare: Lämplig för användning i förstärkare som kräver stora spänningssvängningar.

• DC-DC-omvandlare: Användning som switchelement i högspänningsaggregat.

• Industriella styrkretsar: Generering av högspänningspulser eller växling av laster.

• Signalförädling: Användning i snabba analoga kretsar där hög spänningstålighet krävs.