N-kanalig Logic-Level MOSFET 240 V 0,36 A 1,7 W SOT-223 (BSP89)

BSP89 är en högspänd N-kanalig MOSFET avsedd för ytmontering (SMD) i SOT-223-kapsel. Den kombinerar hög spänningshärdighet med möjlighet att fungera vid låga grindspänningar, vilket är en ovanlig kombination i 240 V-klassen.

Viktiga tekniska värden

• Drain-Source-spänning (VDS): 240 V

• Kontinuerlig drainström (ID): 0,36 A (360 mA)

• Effektförlust: 1,7 W

• Kapsling: SOT-223

• Tröskelspänning (VGS(th)): 0,8 V – 2,0 V (Logic-Level)

Viktiga designöverväganden

• Logic-Level styrning: Transistorn schakts effektivt redan vid mikrokontrollernivåers spänningar. Detta möjliggör direkt styrning utan separat gate-driver, förutsatt att man beaktar komponentens gatekapacitans vid snabba omkopplingar.

• Hög spänning: 240 V VDS-härdighet är ovanligt hög för en komponent i SOT-223-storlek. Säkerställ i kretskortslayouten tillräckliga krypavstånd och luftavstånd mellan ledare för att undvika ljusbågar eller kortslutningar.

• Värmehantering: SOT-223-kapselns mittpinne fungerar som kylfläns. 1,7 W effektförlust kräver tillräckligt stor koppararea på kretskortet (minst 15–20 mm²) för att sprida värmen så att komponenten inte överhettas.

• Strömtålighet: 360 mA är den maximala ström transistorn tål. Observera att detta värde minskar vid högre temperaturer; dimensionera kopplingen så att verklig belastning är avsevärt lägre än detta värde.

Typiska användningsområden

• Högspänningssignalkontakter: Routing av analoga eller digitala högspänningssignaler.

• Nivåomvandling: Gränssnitt mellan lågoch högspänningskretsar.

• Låg-effekt switchade strömförsörjningar: Användning som switchelement för hjälpkraftkällor eller styrkretsar.

• Styrning av reläer och små solenoider: Lämplig för att driva högre spänningsbelastningar direkt från digital logik.