✓Inhemsk nätbutik
✓Snabb leverans
Hem
Kund

Transistornivå N-FET 100V 12A 60W TO-220

Transistornivå N-FET 100V 12A 60W TO-220

Transistornivå N-FET 100V 12A 60W TO-220

SKU#: RFP12N10L
Kan levereras 8 st Omedelbart tillgänglig
Kan hämtas 8 st (2 tunnin efter beställningen, mån-fre 9-17)
Transistornivå N-FET 100V 12A 60W TO-220

Mängdrabatt

  • Beställ 25+ till priset 16,00  kr/st
  • Beställ 100+ till priset 14,00  kr/st
19,00  kr

Produktbeskrivning

Logic-Level N-kanals effekt-MOSFET 100 V 12 A 60 W TO-220 (RFP12N10L)

RFP12N10L är en N-kanals effekt-MOSFET som är speciellt utformad för "Logic-Level"-styrning. Det innebär att transistorn går helt på redan vid låg grindstyrningsspänning (VGS), vilket gör den idealisk för applikationer som styrs direkt av mikrokontroller (som Arduino eller ESP32).

Till skillnad från traditionella effekt-MOSFET:ar, som kan kräva 10 V styrning för full ledningsförmåga, fungerar "Logic-Level"-modellen pålitligt redan vid 5 V (eller till och med 3,3 V) logiknivåer.

Viktigaste egenskaperna:

  • Typ: Logic-Level N-kanals effekt-MOSFET.

  • VDS (Drain-Source-spänning): 100 V.

  • ID (Absolut maxström): 12 A.

  • PD (Maxeffektförlust): 60 W (kräver effektiv kylning).

  • VGS(th) (Tröskelspänning): Mycket låg, optimerad för logikspänningar.

  • Kapsling: TO-220 (genomgående montering).

Viktiga designanvisningar:

  • Styrning: Eftersom detta är en Logic-Level-modell kan du styra den direkt från en mikrokontrollerpinne. Detta sparar utrymme och komponenter på kretskortet, då en separat grinddrivare ofta inte behövs vid låga frekvenser.

  • Värmehantering: Även om komponenten tål 60 W effektförlust är det ett teoretiskt värde. I praktiska applikationer måste temperaturen övervakas och ett tillräckligt stort kylfläns användas. Om den belastning som ska switchas är stor, se till att MOSFET:ens interna resistans (RDSon) är så låg som möjligt vid schakttillfället.

  • Säkerhet: 100 V spänningshållfasthet gör detta till ett bra val för något högre spänningsapplikationer, såsom 24 V eller 48 V system där en vanlig 60 V MOSFET kanske inte räcker.

Typiska användningsområden:

  • Mikrokontrollerbaserade projekt: Direktstyrning av reläer, motorer och LED-remsor.

  • Automatisering: Sensorstyrda brytare och effektsteg.

  • PWM-applikationer: Varvtalsreglering av små DC-motorer direkt från logiknivå.

  • Fördrivning av strömförsörjningar: Logikstyrda brytare inuti strömförsörjningar.

Tips: Även om transistorn är av Logic-Level-typ, kontrollera alltid databladets "RDSon vs VGS"-kurva. Den visar exakt hur låg den interna resistansen är vid den styrspänning du använder (t.ex. 5 V). Ju lägre resistans, desto mindre blir komponentens uppvärmning i drift.

Produktinformation