Inhemsk nätbutik
Snabb leverans
Hem
Kund

Transistor N-FET 60V 42A 125W TO-220

SKU#: MTP50N06
Kan inte beställas för tillfället
Transistor N-FET 60V 42A 125W TO-220

Mängdrabatt

  • Beställ 25+ till priset 18,00  kr/st
  • Beställ 100+ till priset 16,00  kr/st
21,00  kr

Produktbeskrivning

N-kanalig effekt-MOSFET 60 V 42 A 125 W TO-220 (MTP50N06)

MTP50N06 är en robust N-kanalig effekt-MOSFET utformad för att bryta stora strömmar och spänningar. Det är en spänningsstyrd komponent, vilket gör den till en mycket effektiv strömbrytare i till exempel PWM-styrda motorapplikationer eller switchade nätaggregat.

Viktigaste egenskaperna:

  • Typ: N-kanalig effekt-MOSFET.

  • VDS (Drain-Source-spänning): 60 V. Detta är den maximala spänningen komponenten tål mellan Drain och Source.

  • ID (Absolut maxström): 42 A. Detta är komponentens absoluta maxström vid en kapslingstemperatur på 25 grader. Obs: I praktiska kopplingar måste strömmen vara avsevärt lägre på grund av värmehantering.

  • PD (Maximal effektdissipation): 125 W. Detta är den maximala effekten komponenten kan avge som värme. Obs: Detta kräver en mycket effektiv kylfläns.

  • Styrning: Spänningsstyrd gate (Gate-Source-spänning slår på komponenten).

  • Kapsling: TO-220 (genomgående montering, metallisk bakplatta för kylning).

Viktiga designnoteringar:

  • Strömbegränsningar: 42 A är en teoretisk övre gräns. Den faktiska driftströmmen måste beräknas utifrån intern resistans (RDSon), omgivningstemperatur och kylflänsens termiska resistans. Om komponenten blir för varm kommer den att nå sin temperaturgräns och dess förmåga att leda ström minskar avsevärt.

  • Värmehantering: Att nå 125 W effektdissipation kräver en massiv kylfläns och effektiv värmeöverföring (värmefett). I praktiska tillämpningar rekommenderas att driva komponenten avsevärt under dessa effektnivåer för att säkerställa lång livslängd.

  • Gate-styrning: MOSFET:ens gate beter sig som en kondensator. Vid snabba svängningar (som i PWM-styrning) krävs en tillräckligt stark drivkrets (Gate Driver) för att ladda och ladda ur gaten snabbt. Detta minimerar effektdissipation i övergångsområdet, vilket annars skulle värma komponenten i onödan.

Typiska användningsområden:

  • Motorstyrning: PWM-hastighetskontroll för DC-motorer.

  • Switchade nätaggregat (SMPS): Effektiv strömbrytare i primärsidan eller i likriktningen.

  • Fordonsapplikationer: Effektkraftselektronik för 12 V / 24 V system (solenoider, ersättning av reläer).

  • Effektomvandlare: DC-DC-omvandlare där låg förlust krävs.

Tips: Uppvärmning av MOSFET är den vanligaste orsaken till fel. Kontrollera alltid tillverkarens datablad för "Safe Operating Area" (SOA)-kurvan, som anger komponentens hållbarhet vid olika spännings- och strömförhållanden. Använd alltid en komponent med så låg RDSon som möjligt om strömmarna är höga, så att värmeförlusten i komponenten förblir så liten som möjligt.

Produktinformation